检测高压整流二*管的方法

　　检测高压整流二*管的方法  几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二*管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生*早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。大家又对高压整流二*管了解多少呢？高压整流二*管系列产品是由多个微型单元PN结芯片掺杂特殊金属采用独有工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件，实现耐高电压和大电流的层状单元结构。高压整流二*管的主要参数包括哪些？如何检测高压整流二*管的好坏？跟着百检小编一起来看看吧。

　　高压整流二*管的主要参数：

　　1.*大平均整流电流IF：指二*管长期工作时允许通过的*大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二*管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二*管的IF为1A。

　　2.*高反向工作电压VR：指二*管两端允许施加的*大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二*管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V

　　3.*大反向电流IR：它是二*管在*高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二*管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二*管质量越好。

　　4.击穿电压VB：指二*管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

　　5.*高工作频率fm：它是二*管在正常情况下的*高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二*管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二*管的fm为6.3kHz。另有快恢复二*管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。

　　反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及*大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

　　7.零偏压电容CO：指二*管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二*管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二*管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

　　用万用表检测高压整流二*管的好坏方法如下：

　　1、向用二*管档或高阻档(10k)测量应该导通或能测电阻反向高压整流二*管串联电阻接整流二*管允许耐受高电压用万用表测量电阻电压(即二*管否反向电流)向能导通反向通反向漏电或击穿。

　　2、整流二*管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正*和负*两个端子。二*管*重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二*管的正*流入，负*流出。

　　正向用二*管档或高阻档(10k以上)测量，正常的应该导通或能测出电阻，反向可以把高压整流二*管串联电阻后接整流二*管允许耐受的高电压，用万用表测量电阻上有无电压(即二*管是否有反向电流)，正向能导通反向不通的就是好的，反向有漏电或被击穿的就是不好的。

　　通过以上的内容，大家已经对高压整流二*管有了一定的了解，当性能变差时可能会引起加热慢或烧保险的故障。双向保护二*管只是一个过压保护器件，当某种原因引起加在磁控管上的电压过高时，此保护二*管击穿短路，等于变压器输出短路，初级电流大增，烧断输入保险，达到保护的目的。

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